赵灿闻言，不由感慨道：“看来我们的平面照相技术确实厉害！！！”

罗伯特·诺伊斯不由点头笑道：“是的，正是这种技术才使得我们在硅晶体三极管技术领先于当时其他的半导体生产厂家。而且这一技术也使得我们能够制造出小于千分之一英寸的高性能高可靠的硅晶体三极管，也使集成电路中器件间的连接成了可能。现如今，只要将各种器件制作在同一硅晶片上，再用平面工艺将其连接起来，就能制造出多功能的电子线路。这一技术可以使电路的体积减小、重量减轻、并使成本下降！”

罗伯特·诺伊斯声音微颤，激动万分。

集成电路的实现意味着什么，罗伯特·诺伊斯非常清楚，这将会是电子行业里的巨大变革，势必将震惊全球！！！

赵灿也很激动，他已经在幻想着自己仗着自己有集成电路，开发各种电子产品，吊全世界。不过，很快就有一盆冷水浇到他头上。

赵灿在实验室里终于看到了集成电路，样子非常难看。这不是关键，关键是这个集成电路弱爆了，集成度不高，才几个晶体管。哪怕赵灿是个外行，也知道晶体管的数量越多，集成电路的性能越强。

“诺伊斯，有没有办法让这个集成电路集成更多的晶体管，比如说片内集成了两万多个晶体管！”赵灿问道，如能集成两万多个晶体管就才能制造intel4004了。

罗伯特·诺伊斯与基尔比相视一眼，随后苦笑道：“老板，就算是集成上百个都极难，更别提两万多个晶体管了……”

“……”

赵灿皱了皱眉头，这般弱爆了的集成电路，需求量就会变得很小。

想要开发芯片，依旧是任重道远啊！

对了，intel公司目前开发的硅晶体管并不是mos场效晶体管，所以晶体管集成度太低！

我靠，幸好我前世也从事it行业，稍微了解过一些芯片的知识，知道95%以上的集成电路芯片都是基于cmos工艺。cmos脱胎于mos，属于增强型mos。

mos晶体管发明于1960年，是一种新型晶体管——金属氧化物半导体晶体管。在mos晶体管基础上制作的集成电路拥有更高的密度和更低的生产成本。

“咳咳……诺伊斯，基尔比，在你们看来，为什么我们所开发的集成电路集成度低是什么原因呢？会不会是晶体管结构的问题？”赵灿一副循循善诱，顿了顿，继续引导着说道，“1925年，李林菲尔德提出了场效应晶体管概念，我们是不是尝试开发一种金属氧化物半导体场效应晶体管mos呢？！”

赵灿说完后，心里有些得意，幸好哥这段时间一直在恶补资料，不然哪里知道李林菲尔德提出场效应晶体管概念。

罗伯特·诺伊斯和基尔比闻言，微微惊讶，但同时也很疑惑赵灿所说的这种晶体管能否解决当前的难题。