王守武找到了林强生，对他说明了半导体研究所引进良种技术的想法，林强生手里有着全套的封闭式硅单晶炉技术资料。虽然国内可以仿制的出来，但是也要经过大量的试验工作。他们也知道，林强生大公无私的把这些技术摆在了中科院科研人员的面前，尤其是林兰英这位爱国女愤青的面前，更是没有要隐瞒国内的心思。

“我希望这种技术能够尽快的提供给国内制造硅单晶的生产厂家，这种设备不但能使硅单晶的生产速度大大提高良品率更是能达到80以上。而且它的能源利用率也是很高的，使用了这种单晶炉在同样产量下使耗能降低到30以下，这不但节约了大量的电力资源而且使生产成本大幅度降低，绝对是利国利民的技术！还有氢氧化钡涂层，也是大大减少了石英坩埚的消耗！”林强生和王守武两人向着车间走着，他一边走一边对王守武说道。

“是啊，小林同志你的技术可帮了我们的大忙，让我们半导体研究所大大的开了眼界！尤其难得的是这种技术目前还只有我们知道，国际上还不曾掌握这种技术，你真是对国家做了大大的好事！”王守武赞赏着林强生的作为，十分欣赏林强生这个小青年，处处为国家着想一点也没有要和国家讨价还价的意思。

如果林强生真的能够把这两项技术交给国家，那将使国内半导体产业大大的前进了一大步，在单晶硅制备效率上赶超发达国家！

第265章 代工生产

两人回到车间，王守武有些感慨，不由得向林强生介绍起了这些年国内发展半导体事业的成就和挫折。

目前国内的ic行业由“两霸”支撑，再加上无数的地方小厂，拼凑起了国内不强且产业零星分散的工业体系。南霸上海无线电十九厂（元件五厂拆分），北霸北京国营东光电工878厂（由北京电子管厂抽调一部分技术力量组建）。

在国外实行对华封锁的年代里，集成电路属于高新技术产品，是禁止向国内出口的。因此，在封闭的自力更生、计划经济年代里，这两厂的ic一度成为每年召开两次电子元器件订货会上最走俏的产品。当时一块j-k触发器要想马上拿到手，得要部长的亲笔批条。在中国实行改革开放政策之前，ic在中国完全是卖方市场。七十年代上半期，一个工厂的ic年产量，只有几十万块，到七十年代末期，上无十九厂年产量才实破500万块，位居全国第一。

在七十年代初期，由于受国外ic迅速发展和国内“电子中心论”的影响，加上当时ic的价格偏高，一块与非门电路不断变价曾达到500元，利润较大销售利润率有的厂高达40以上，而货源又很紧张，因而造成各地ic厂点大量涌现，曾经形成过一股“ic热”。

当时不少省市自治区，以及其他一些工业部门都兴建了自己的ic工厂，造成一哄而起的局面。在这期间，全国建设了四十多家集成电路工厂。四机部直属厂有749厂（永红器材厂）、871厂（天光集成电路厂）、878厂（东光电工厂）、4433厂（风光电工厂）和4435厂（韶光电工厂）等。各省市所建厂中有名的有：上海元件五厂、上无七厂、上无十四厂、上无十九厂、苏州半导体厂、常州半导体厂、北京市半导体器件二厂、三厂、五厂、六厂、天津半导体（一）厂、航天部西安691厂等等。

集成电路一经出现，随着设备和工艺的不断发展，集成度迅速提高。从小规模集成（ssi），经过中规模集成（sl），很快发展到大规模集成（lsi），这在美国用了8年时间。而中国在初始发展阶段仅用7年时间走完这段路，与国外差距还不是很大。

1972年中国第一块os型lst电路在四川永川半导体研究所研制成功，为了加速发展lsi，中国接连召开了三次全国性会议，第一次1974年在京召开，第二次1975年在上海召开；第三次1977年在大三线贵州省召开。

为了提高工艺设备的技术水平，并了解国外ic发展的状况，在1973年中日邦交恢复一周年之际，中国组织了由14人参加的电子工业考察团赴日本考察ic产业，参观了日本当时八大ic公司：日立、nec、东芝、三菱、富士通、三洋、冲电气和夏普，以及不少设备制造厂。原先想与nec谈成全线引进，因政治和资金原因没有成功丢失了一次机会。

后来改为由七个单位从国外购买设备，期望建成七条工艺线。最后成线的只有北京878厂，航天部山西骊山771所和贵州都匀4433厂。

这一阶段15年，从研制小规模到大规模电路，在技术上中国都依靠自己的力量，只是从国外进口了一些水平较低的工艺设备，与国外差距逐渐加大。在这期间美国和日本已先后进入ic规模生产的阶段。